SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIR414DP-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.64 |
10+ | $1.475 |
100+ | $1.1853 |
500+ | $0.9739 |
1000+ | $0.8069 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIR414 |
SIR414DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIR414DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
SiR412DP-T1-E3 VISHAY
VISHAY QFN8
SiR412DP VISHAY
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
VISHAY QFN-8
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
VISHAY DFN-8
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
VISHAY DFN5X6
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIR414DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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